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低失真可编程电容阵列

摘要

在一个示例实施例中,提供了通过利用控制电路来打开和关闭MOSFET开关阵列用于输入端(Vin)低失真和最小化线性度劣化的可编程电容阵列。控制电路响应于Din控制信号而打开MOSFET以在输入端加载电容,并关闭以从输入端去除电容。当意图加载具有输入的电容时,MOSFET被持续打开。当意图从输入端(Vin)去除或卸载电容时,MOSFET主要是关闭的,但是,当输入端的电容负载对系统可以容忍(即无所谓)时,MOSFET还是周期性地接通短暂的一段时间,从而确保由于可编程电容器阵列系统最小化Vin的线性退化。

著录项

  • 公开/公告号CN104052461B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美国亚德诺半导体公司;

    申请/专利号CN201410095276.2

  • 发明设计人 S·德瓦拉简;L·A·辛格;

    申请日2014-03-14

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人刘倜

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 10:10:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-24

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K19/0944 申请日:20140314

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    公开

    公开

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