一种表面过饱和掺杂光电探测器的钝化方法

摘要

本发明提出一种对表面过饱和掺杂光电探测器进行表面钝化的方法，该方法在表面过饱和掺杂光电探测器的表面覆盖两层氢含量不同的非晶硅薄膜。非晶硅薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)形成。本发明的双层含氢非晶硅薄膜结构一方面能够与器件感光面的表面悬挂键结合，减少器件表面的电子与空穴的复合，降低暗电流，另一方面隔绝了空气的污染，具有结构简单，钝化效果显著的优点。