外腔相干垂直腔面发射半导体激光器

摘要

外腔相干垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中相干激光器结构复杂，可靠性差的技术问题。该激光器包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR的上表面边缘设有P面电极，P型DBR中设有具有多个氧化孔的氧化限制层；还包括由光栅和外腔组成的高对比度光栅，高对比度光栅遮挡所有出光孔及出光孔连接处；外腔的下表面固定在P型DBR的上表面上，外腔的光学厚度为二分之一波长的整数倍，外腔的材料为低折射率介质材料；光栅设定在外腔的上表面上，偏振方向平行或垂直于(110)晶向，光栅的材料为高折射率介质材料。该激光器能够实现偏振控制，且稳定性高、可靠性好。