用于在FinFET沟道中诱导应变的方法

摘要

用于在FinFET沟道中诱导应变的方法。本文公开了一种FinFET，其中位于鳍内的膨胀材料(通常是鳍半导体的氧化物)产生显著增大FinFET沟道内的电荷载流子迁移率的应变。该构思可以应用到p型或n型FinFET。对于p型FinFET，膨胀材料设置在源极区和漏极区的下方。对于n型FinFET，膨胀材料设置在沟道区的下方。膨胀材料可以与源极区和漏极区上的应变诱导外延或不与源极区和漏极区上的应变诱导外延一起使用，并且可以提供比单独使用应变诱导外延实现的应变更大的应变。