法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-20
授权
授权
2017-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20161223
实质审查的生效
2017-05-31
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译: 用于光电探测器的Al ZnO UV衬底,包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器