首页> 中国专利> 整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置

整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置

摘要

本发明公开了一种整体制冷能工作在零摄氏度以下的半导体激光装置,涉及一种半导体激光器技术领域。本装置的结构主要是:在水冷头的上面并列设置有第1半导体制冷片和第2半导体制冷片及激光管底座;在激光管底座的左侧壁中孔设置有半导体激光管,在激光管底座的上面设置有光栅底座;在光栅底座的左侧面设置有光栅;激光器外壳右侧壁中孔设置有橡胶软管,橡胶软管右端连接有氮气瓶。本装置不改变常温半导体激光器的基本机械结构,采用整体制冷、水冷散热以及通干燥气体的方式使激光器正常工作在低温下,使半导体激光管的工作波长移动达5nm,可行性强。

著录项

  • 公开/公告号CN104795726B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院武汉物理与数学研究所;

    申请/专利号CN201510222075.9

  • 发明设计人 彭文翠;李敏;童昕;

    申请日2015-05-05

  • 分类号

  • 代理机构武汉宇晨专利事务所;

  • 代理人黄瑞棠

  • 地址 430071 湖北省武汉市武昌小洪山

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    授权

    授权

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/024 申请日:20150505

    实质审查的生效

  • 2015-07-22

    公开

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