一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法。本发明的三元复合阻变薄膜是对铁电/半导体复合薄膜进行聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂而得到，PMMA的掺杂量与铁电聚合物的质量比为0.1:10‑0.3:10。该三元复合薄膜的表面粗糙度、抗电疲劳特性和阻态保持性能都得到明显改善。由于PMMA与铁电聚合物P(VDF‑TrFE)互溶性佳，可有效降低铁电相的漏电特性；而PMMA与有机半导体，如P3HT，形成层状相分离结构，可有效抑制半导体相的漏电，降低半导体相电击穿的风险。