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自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容

摘要

本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法,包括步骤:提供待刻蚀层;刻蚀待刻蚀层,以形成第一孔槽;进行叠层的淀积,所述叠层至少包括三层材料层,且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性;进行平坦化,直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除;根据刻蚀选择性,在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层,以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸,易于刻蚀、质量高且成本低。

著录项

  • 公开/公告号CN105280726B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410360940.1

  • 发明设计人 赵利川;李昱东;闫江;

    申请日2014-07-25

  • 分类号

  • 代理机构北京维澳专利代理有限公司;

  • 代理人党丽

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-06

    授权

    授权

  • 2016-02-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/92 申请日:20140725

    实质审查的生效

  • 2016-01-27

    公开

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