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一种排除电性噪声干扰的方法

摘要

本发明涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种应用于半导体器件电性测试工艺的排除电性噪声干扰的方法,在半导体器件可接受测试(WAT)前,针对微小电流测试,以聚焦电子束做预处理,利用器件各组成部分形成的单一P型/N型结构,利用表面电荷积累形成的电势差使材料内无序电荷在电场作用下向一端聚集并释放,以排除电性干扰对测试的影响,从而使得后续的电性测试获得稳定准确的测试结果。

著录项

  • 公开/公告号CN105261574B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201510716961.7

  • 发明设计人 王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;

    申请日2015-10-28

  • 分类号

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-03

    授权

    授权

  • 2016-04-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20151028

    实质审查的生效

  • 2016-01-20

    公开

    公开

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