退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104205340B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-06
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社理光;
申请/专利号CN201380015030.3
发明设计人 松本真二;植田尚之;中村有希;安部由希子;高田美树子;曾根雄司;早乙女辽一;
申请日2013-03-14
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 10:08:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-06
授权
2015-01-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20130314
实质审查的生效
2014-12-10
公开
机译: 导电薄膜,用于形成导电薄膜的涂布液,场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法
机译: 导电性薄膜,形成导电性薄膜的涂布液,场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法
机译: 导电薄膜,用于形成导电薄膜的涂布液,场效应晶体管及其制造方法
机译:用于日本董事会玻璃和美国太阳能电池板的透明导电薄膜生产透明导电薄膜供应
机译:校正:在场效应晶体管中和通过导电原子力显微镜观察到的2,2',6,6'-四苯基-二吡喃亚烷基薄膜中的非易失性电阻记忆效应
机译:在场效应晶体管中和通过导电原子力显微镜观察到的2,2',6,6'-四苯基-二吡喃亚砜薄膜中的非易失性电阻记忆效应
机译:用于电气压力和准大气压等离子体的薄膜形成技术的开发,用于导电DLC成膜
机译:用于超导电子的hall钡钙铜氧化物薄膜:前体性能,沉积机理,相形成和通过金属有机化学气相沉积形成的三层结构。
机译:用于使用180GHz准光谐振器的电导率提取用于沉积在导电基板上的导电薄膜
机译:在场效应晶体管和导电原子力显微镜下观察到的2,2',6,6'-四苯基-二吡喃次萘薄膜中的非易失性电阻记忆效应(第7卷,第3336页,2017年)
机译:用于传感器应用的自动调零差分有机薄膜场效应晶体管放大器的设计