公开/公告号CN104981904B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480008970.4
发明设计人 R.J.科瓦尔;F.A.辛塞克-埃格;
申请日2014-02-13
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人徐予红
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:08:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-23
授权
授权
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20140213
实质审查的生效
2015-10-14
公开
公开
机译: 用于垂直NAND性能增强和垂直缩放的局部埋藏通道电介质
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