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一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法

摘要

本发明公开了一种从薄膜表面可控制备单晶锡纳米线/微米线的方法,可以实现锡纳米线/微米线直径和长度的可控制备,属于金属纳米材料制备领域。该方法通过硅/锡薄膜的制备、高温存放等,即可制备出直径和长度可控的单晶锡纳米线/微米线。该方法可以通过调节薄膜的晶粒尺寸来实现不同直径锡纳米线/微米线的制备,其直径范围为10nm~10μm;通过调节存放条件来实现不同长度锡纳米线/微米线的制备,长度范围为100nm~1mm。本发明制备过程简单,优于纳米线制备的常用化学方法,省去了模板的制备和溶解等工艺过程,为锡纳米线/微米线的可控制备提供了一种新方法。

著录项

  • 公开/公告号CN105297137B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院金属研究所;

    申请/专利号CN201510796467.6

  • 发明设计人 李财富;刘志权;

    申请日2015-11-17

  • 分类号

  • 代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人许宗富

  • 地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

  • 入库时间 2022-08-23 10:08:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

    授权

  • 2016-03-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/62 申请日:20151117

    实质审查的生效

  • 2016-02-03

    公开

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