退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN103972388B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN201410196018.3
发明设计人 王哲;高明圆;吴君辉;袁艺;
申请日2014-05-09
分类号H01L51/00(20060101);H01L51/40(20060101);
代理机构11121 北京永创新实专利事务所;
代理人姜荣丽
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 10:07:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-02
授权
2014-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/00 申请日:20140509
实质审查的生效
2014-08-06
公开
机译: 可控优选取向和晶粒尺寸的纳米镍纳米线的制备方法
机译: 制备具有高挥发性外来杂质的硅单晶的方法,这种单晶的晶体以及由其制造的半导体晶片
机译: 在绝缘衬底层上制备高涂覆的薄单晶硅层的方法,以及具有薄高质量单晶硅层的半导体器件
机译:自组装单层模板上大取向有机半导体单晶的图案生长
机译:可控地制备金属和金属涂覆的硅基底上的取向碳纳米管的图案
机译:具有强光开关特性的有机半导体的单晶,尺寸和方向可控的纳米线和超长微线
机译:使用纳米多孔氧化铝掩模通过ICP-RIE在Iv-V半导体衬底上制备尺寸可控的纳米孔阵列
机译:可控取向差的氧化铝晶界的制备及三结平衡条件的影响。
机译:由氧化石墨烯制备石墨烯量子点的可控尺寸选择方法
机译:自组装单层模板上大取向有机半导体单晶的图案化生长
机译:高取向pZT单晶粒组成1-3层复合板的制备及压电性能