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一种低热膨胀系数C/C‑SiC复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种低热膨胀系数C/C‑SiC复合材料的制备方法,将体积分数为40%~50%的正交三向长碳纤维预制体在真空压力条件下浸渍酚醛树脂溶液后,进行固化处理、碳化处理,重复真空浸渍‑固化‑碳化处理直至获得的C/C材料密度达到1.45~1.60g/cm3,之后在Ar气保护气氛下进行1800℃~2200℃高温热处理,再结合液硅浸渗法(LSI法),得到密度为2.2~2.4g/cm3,‑20℃~100℃温度范围内平面方向和厚度方向的热膨胀系数(CTE)分别约为0~0.1ppm/K、0.6~1.3ppm/K的C/C‑SiC复合材料。本发明制备周期短,成本低,所得材料密度小,热膨胀系数低,力学性能优良,可满足空间低温环境下光机结构件的应用要求。

著录项

  • 公开/公告号CN105060913B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN201510496033.4

  • 发明设计人 黄琴;刘红;方敬忠;

    申请日2015-08-13

  • 分类号C04B35/83(20060101);C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-02

    授权

    授权

  • 2015-12-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/83 申请日:20150813

    实质审查的生效

  • 2015-11-18

    公开

    公开

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