NAND型双位氮化物只读存储器及制造方法

摘要

本发明涉及一种NAND型双位氮化物只读存储器及制造方法，首先，提供一基板。接着，形成数条相互隔开而平行的隔离层于基板中。然后，形成数条字符线和数个ONO堆栈结构于基板之上，这些字符线相互隔开而平行，并与这些隔离层垂直交错，各ONO堆栈结构形成于对应的字符线及基板之间。接着，形成数条非连续性位线于这些字符线之间及这些隔离层之间的基板中。本发明的NAND型双位NROM的结构与互补性金氧化半导体(CMOS)相似，且其制作工艺顺序与CMOS的制作工艺顺序兼容。