首页> 中国专利> 改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法

改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

通过改变抛光端处的氧化剂的浓度来修正在基片(150)的表面处对金属膜(155)的化学机械抛光(CMP)，将浆料前体(201)与氧化剂(202)混合以提供预定氧化剂浓度的浆料(200)，并将所述浆料提供到CMP垫(140)从而对所述膜以预定抛光速率进行抛光。由于减小了抛光速率，因而增强了终止点控制。通过加入另外的氧化或还原剂来变化所述浓度。

著录项

公开/公告号CN1278395C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-10-04

原文格式PDF
申请/专利权人自由度半导体公司;
展开▼

申请/专利号CN02814331.0
发明设计人小戴维·W.·哈卡特;约翰·茂特比斯;卡尔·E.·茂茨;
展开▼

申请日2002-06-10
分类号H01L21/321(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 08:58:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/321 授权公告日:20061004 终止日期:20130610 申请日:20020610

专利权的终止
2014-08-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/321 授权公告日:20061004 终止日期:20130610 申请日:20020610

专利权的终止
2013-07-31

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/321 变更前: 变更后: 申请日:20020610

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-07-31

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/321 变更前: 变更后: 申请日:20020610

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2006-10-04

授权

授权
2006-10-04

授权

授权
2004-12-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-12-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-10-06

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040820 申请日:20020610

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-10-06

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040820 申请日:20020610

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-10-06

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040820 申请日:20020610

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2004-09-22

公开

公开
2004-09-22

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法 [P] . 中国专利： CN1278395C . 2006.10.04
2. 用臭氧进行化学机械抛光（CMP）处理的方法 [P] . 中国专利： CN109659229A . 2019-04-19
3. Chemical mechanical polishing of changing the oxidizing agent concentration in the slurry (CMP) method [P] . 日本专利： JP2005536034A . 2005-11-24

机译：化学机械抛光以改变浆料中的氧化剂浓度（CMP）方法
4. METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) WITH ALTERING THE CONCENTRATION OF OXIDIZING AGENT IN SLURRY [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1407482A1 . 2004-04-14

机译：改变浆液中氧化剂浓度的化学机械抛光（CMP）方法
5. METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) WITH ALTERING THE CONCENTRATION OF OXIDIZING AGENT IN SLURRY [P] . 世界知识产权组织专利： WO03007360A1 . 2003-01-23

机译：改变浆液中氧化剂浓度的化学机械抛光（CMP）方法