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公开/公告号CN105810536B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201610196803.8
发明设计人 柳建龙;翟华;曾葆青;
申请日2016-03-31
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人詹福五
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:06:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
授权
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J23/04 申请日:20160331
实质审查的生效
2016-07-27
公开
机译: 采用带状二次电子发射阴极的冷阴极磁控管
机译: 反转磁控管构型中冷阴极的电离头
机译:面向太赫兹磁控管:带有冷阴极的210 GHz空间谐波磁控管
机译:制造电子发射体,冷阴极电场电子发射装置和冷阴极电场电子发射显示器
机译:阳极电压脉冲的形状对带有二次二次冷阴极的空间钟形磁控管的工作稳定性的影响
机译:阳极脉冲前部冷阴极磁控管中的电子云累积
机译:通过改进的微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石工艺制造的薄膜冷阴极材料的生长,表征和电子场发射测量。
机译:生长后电老化制备稳定的碳纳米管冷阴极电子发射体
机译:屏蔽冷阴极磁控管(SCCM)
机译:采用冷阴极进行放电时的束式等离子体相互作用