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公开/公告号CN105190798B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-30
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201480025355.4
发明设计人 D·D·金;K·李;D·F·伯蒂;M·F·维纶茨;J·金;J-H·兰;C·尹;N·S·慕达卡特;R·P·米库尔卡;
申请日2014-04-22
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人唐杰敏
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:06:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-30
授权
2016-01-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01F21/06 申请日:20140422
实质审查的生效
2015-12-23
公开
机译: 感应器可通过可变的磁通密度组件进行调谐
机译:使用可变电感器的可调谐射频电路的宽调谐范围LC-VCO
机译:使用单个可变电感器的宽调谐范围60 GHz VCO和40 GHz DCO
机译:使用MEMS压电致动可变电感器进行RF VCO调谐
机译:用于调谐器应用的1.1至1.9GHz CMOS VCO,带有电阻调谐可变电感器
机译:使用镍/镍铁芯的千兆赫兹非挥发性电压调谐磁性薄膜电感器
机译:用于磁强计机械天线可调谐射频电感器和滤波器的机械共振增强型薄膜磁电异质结构
机译:使用最小主动和无源组件可调谐有损和无损接地电感器
机译:Flux-shield可变电感器的设计标准