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溅镀装置及其使用此装置的金属层/金属化合物层的制造方法

摘要

本发明是关于一种溅镀装置及其使用此装置的金属层/金属化合物层的制造方法。本发明溅镀装置包括:反应室;阴极设于反应室顶部;电源供应装置连接阴极;金属靶设于阴极上;晶圆承载装置设于反应室内;减压装置连接反应室维持一定真空度;气体供应装置连接反应室;温度检测装置;温度接收器;冷却水系统及反应室壁温控制装置。本发明制造方法包括:将一晶圆置于反应室中;在晶圆上形成一金属层;在反应室中金属层上形成一金属化合物层;在形成金属层与金属化合物层期间,控制反应室侧壁温度维持在50℃至70℃左右。藉由控制反应室侧壁温度使侧壁温度维持在50℃至70℃左右,可减少反应室中温度分布之差,达到增加金属钛与氮化钛的附着性,并可减少氮化钛粒子的堆积。

著录项

  • 公开/公告号CN1266306C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力晶半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN03123734.7

  • 发明设计人 刘玉城;

    申请日2003-05-19

  • 分类号

  • 代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 授权公告日:20060726 申请日:20030519

    专利权的终止

  • 2006-07-26

    授权

    授权

  • 2005-01-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-24

    公开

    公开

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