公开/公告号CN104796098B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
申请/专利号CN201510206713.8
申请日2015-04-27
分类号H03F3/20(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
入库时间 2022-08-23 10:06:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-12
授权
授权
2015-08-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/20 申请日:20150427
实质审查的生效
2015-07-22
公开
公开
机译: 具有相互交叉的栅极,源极和漏极的高功率,GaN基FET的布局设计
机译: 在源极焊盘,漏极焊盘和/或栅极焊盘下方集成了ESD保护电路的功率半导体器件
机译: 用于测量在源极或漏极侧有负载的功率半导体器件的负载电流的电路