一种在半导体器件中形成场截止层的方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，具体为一种在半导体器件中形成场截止层的方法包括：A）选取一种半导体器件，包括第一导电类型半导体基板。B）从第一导电类型半导体基板的背面进行质子注入。C）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第一半导体区域。D）从第一导电类型半导体基板的背面进行离子注入。E）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第二半导体区域。本发明不仅能够达到场截止层的相对于半导体基板的浓度要求，也能够达到场截止层相对于半导体器件背表面的深度要求，同还避免了在场截止层的形成过程中对器件正面结构的影响。