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一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品

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摘要

一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品，一种铜锌锡硫硒(Cu

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/18 授权公告日:20180109 终止日期:20180521 申请日:20150521

专利权的终止
2018-01-09

授权

授权
2015-11-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20150521

实质审查的生效
2015-09-30

公开

公开

1. 一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品 [P] . 中国专利： CN104947050B . 2018.01.09
2. 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法 [P] . 中国专利： CN106549082B . 2019.07.05
3. PREPARATION METHOD OF CZTSSE-BASED THIN FILM SOLAR CELL AND CZTSSE-BASED THIN FILM SOLAR CELL PREPARED BY THE METHOD [P] . 韩国专利： KR20150051181A . 2015-05-11

机译：一种基于CZTSSE的薄膜太阳能电池的制备方法及该方法制备的基于CZTSSE的薄膜太阳能电池
4. A process for the preparation of a n - semiconducting sulphide - thin film [P] . 德国专利： DE102008017077B4 . 2011-08-11

机译：一种n型半导体硫化物薄膜的制备方法。
5. Method of preparation of films extruded plastic a side smooth and novel products thus obtained [P] . 法国专利： FR1501783A . 1967-11-18

机译：薄膜挤出塑料薄膜的制备方法由此获得了一种光滑而新颖的产品