公开/公告号CN106374001B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201510426718.1
申请日2015-07-20
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2022-08-23 10:05:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-09
授权
授权
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20150720
实质审查的生效
2017-02-01
公开
公开
机译: 双整数层和薄膜太阳电池的cigs吸收层和薄膜太阳电池的cigs制备方法
机译: 具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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