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一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法,以EDOT单体为原料,以含有弱碱性阴离子的高醇溶性铁盐FeX3为氧化剂,采用气相法或溶液法制备得到组成为PEDOT:X的PEDOT薄膜,其中X为高醇溶性的弱碱性阴离子,优选为樟脑磺酸根离子、长链烷基苯磺酸根离子、烷基萘磺酸根离子、二烷基萘磺酸根离子和二壬基萘二磺酸根离子中的至少一种。本发明利用前驱体铁盐氧化剂溶液的高醇溶性,提高旋涂液的浓度和粘度,抑制反应过程中氧化剂的结晶,无需添加共聚物抗结晶抑制剂(吡啶、PEPG等),从而获得高膜厚的PEDOT薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN106297968B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201610744324.5

  • 发明设计人 陈立东;石唯;姚琴;瞿三寅;

    申请日2016-08-26

  • 分类号H01B5/14(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲;郑优丽

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-09

    授权

    授权

  • 2017-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B5/14 申请日:20160826

    实质审查的生效

  • 2017-01-04

    公开

    公开

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