公开/公告号CN105576111B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201610054544.5
申请日2016-01-26
分类号H01L35/00(20060101);H01L35/34(20060101);H01L35/16(20060101);H01L35/18(20060101);
代理机构
代理人
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 10:05:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-29
授权
授权
2016-06-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/00 申请日:20160126
实质审查的生效
2016-05-11
公开
公开
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂