公开/公告号CN104270099B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-12
原文格式PDF
申请/专利权人 昆山华太电子技术有限公司;
申请/专利号CN201410425313.1
申请日2014-08-27
分类号H03F1/02(20060101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人范晴
地址 215300 江苏省苏州市周庄镇秀海路188号
入库时间 2022-08-23 10:04:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-03
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H03F1/02 变更前: 变更后: 申请日:20140827
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-12-12
授权
授权
2015-02-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/02 申请日:20140827
实质审查的生效
2015-01-07
公开
公开
机译: GaN镓的基于氮化物的高功率晶体管结构,用于热扩散和阻抗匹配及其制造方法
机译: 用于混合微波IC中微波功率晶体管阻抗匹配的微带器件
机译: schaltungsanordnung用于在宽频带上将信号与高频功率晶体管进行阻抗匹配