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用于制造目的在于随后的分离的结构的工艺

摘要

本发明涉及一种用于通过组合至少两个衬底(S1,S2)制造一种结构的工艺(S),这两个衬底中的至少一个衬底意在使用于电子、光学、光电及/或光伏应用,所述结构包含至少两个分离界面(I1,I2)与所述结构的主要面平行延伸,目的在于所述结构(S)沿着从所述界面中选择的一个界面(I1)分离,通过在所述衬底(S1,S2)之间插入刃(B)并且通过所述刃施加用于分开所述两个衬底的分离力,所述分离实施,其特征在于,其包含选择用于所述分离的界面(I1)的形成,使得所述界面比其它界面(I2)对应力腐蚀更敏感,也就是说,对所述分离力和能够破坏硅氧烷键(Si‑O‑Si)的液体出现在所述界面(I1)的共同作用更敏感。本发明也涉及一种用于分离一种结构(S)的工艺,该结构能够通过所述工艺获得。

著录项

  • 公开/公告号CN104603929B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC公司;

    申请/专利号CN201380046058.3

  • 发明设计人 D·朗德吕;

    申请日2013-09-03

  • 分类号

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 法国贝尔尼

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    授权

    授权

  • 2015-07-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20130903

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

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