法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
授权
授权
2016-04-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/02 申请日:20130524
实质审查的生效
2013-09-18
公开
公开
机译: 通过防止相变材料层上其他颗粒的残留,通过第一种吸收抑制剂抑制相变材料层的平整度的淤泥组成,以及使用相变材料制造相变材料的方法
机译: 相变材料,包括相变材料的相变随机存取存储器,包括相变材料的半导体结构以及形成相变材料的方法
机译: 形成相变材料,相变材料,包括相变材料的相变随机存取存储器装置以及包括相变材料的半导体结构的方法