法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
授权
授权
2016-11-09
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/786 登记生效日:20161017 变更前: 变更后: 申请日:20121116
专利申请权、专利权的转移
2014-08-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20121116
实质审查的生效
2014-07-30
公开
公开
机译: 非晶氧化物半导体和使用该非晶氧化物半导体的薄膜晶体管
机译: 包含镓的p型非晶氧化物半导体,其制造方法,以及包含该镓的p型非晶氧化物半导体及其制造方法
机译: 非晶态氧化物半导体薄膜,非晶态氧化物半导体薄膜的制造方法,薄膜晶体管的制造方法,场效应晶体管,发光装置,显示装置以及溅射靶