公开/公告号CN1254566C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;
申请/专利号CN02104916.5
申请日2002-03-08
分类号C30B15/00(20060101);C30B9/12(20060101);C30B29/22(20060101);
代理机构
代理人
地址 350002 福建省福州市西河
入库时间 2022-08-23 08:58:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/00 授权公告日:20060503 终止日期:20130308 申请日:20020308
专利权的终止
2006-05-03
授权
授权
2005-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-09-24
公开
公开
机译: 一种生长导电熔体晶体的方法,该熔体在金刚石或闪锌矿结构中结晶
机译: 一种由导电熔体生产晶体的装置,包括装在生长室内的装有熔体的坩埚,加热装置以及打算在该室内并布置在两个线圈元件上的磁场感应线圈
机译: 生长的硅锗混合晶体,用于微电子和光电子学-通过熔化坩埚中的一种组分,将固体添加剂组分固定在熔体上方的生长室中,调节热平衡并稳定等。