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一种生长LBO晶体的熔盐提拉法

摘要

熔盐提拉法生长LBO晶体涉及一种生长LBO(LiB3O5,三硼酸锂)晶体的新工艺技术。采用一种改进的助熔剂生长方法——熔盐提拉法,即用助熔剂法结合提拉技术来生长LBO晶体。该方法采用30~80wt.%的B2O3或Li2MoO4为助熔剂,加入0.1~5wt.%的LiF或KF或NaF或Li2MoO4等为添加剂,降温速率为0.5~3℃/天,转速为5~30转/分钟,提拉速度为0.3~3mm/天。生长周期比传统的LBO生长方法缩短了约50%,得到的晶体最大尺寸达φ80×35mm,生长成本降低了30%以上。

著录项

  • 公开/公告号CN1254566C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN02104916.5

  • 发明设计人 王国富;林州斌;胡祖树;何美云;

    申请日2002-03-08

  • 分类号C30B15/00(20060101);C30B9/12(20060101);C30B29/22(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市西河

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/00 授权公告日:20060503 终止日期:20130308 申请日:20020308

    专利权的终止

  • 2006-05-03

    授权

    授权

  • 2005-04-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-09-24

    公开

    公开

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