非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法

摘要

一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。所述非晶半导体材料的形成方法包括：在半导体基底上形成半导体预备层；对半导体预备层进行紫外线照射处理至半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气；去除废气；重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。所述金属硅化物的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中包括源区和漏区；在源区和漏区上分别形成金属层；进行第一次退火处理；采用上述非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；进行第二次退火处理；去除非晶半导体材料。本发明可在400℃及以下的温度形成非晶半导体材料。