双终点检测控制STI CMP工艺氮化硅厚度稳定性的方法

摘要

浅槽隔离技术(STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，其中较为突出的是在CMP工艺中的Dishing和Erosion的问题，对浅槽隔离工艺的重要指标“overhead”产生影响，为了控制“Overhead”在一定的范围内，要求CMP工艺后有稳定的氮化硅厚度，本发明采用两步终点检测系统的控制方法，解决了采用一步终点检测系统，由于批次间研磨速率和批次间膜厚变化造成的误检出和最大时间自动终止的问题。