首页> 中国专利> 一种金‑二氧化钛复合纳米管阵列与金纳米管阵列电极的制备方法

一种金‑二氧化钛复合纳米管阵列与金纳米管阵列电极的制备方法

摘要

本发明公开一种金‑二氧化钛复合纳米管阵列与金纳米管阵列电极的制备方法,包括如下步骤:(1)准备矩形钛金属片;(2)电解;(3)淬火;(4)制作电极;(5)电镀;(6)清洗;(7)重复步骤(5)和步骤(6);(8)使用氢氟酸浸润滤纸,将电镀后的电极置于滤纸之上;(9)重复步骤(5)和步骤(6)。本发明能够制备出形貌、管径、壁厚可控的高度有序的Au/Au‑TiO2纳米管阵列电极材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105836698B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 首都师范大学;

    申请/专利号CN201610237786.8

  • 申请日2016-04-15

  • 分类号B81C1/00(20060101);

  • 代理机构11460 北京权泰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王道川

  • 地址 100048 北京市海淀区西三环北路105号

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-20

    授权

    授权

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20160415

    实质审查的生效

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20160415

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

    公开

  • 2016-08-10

    公开

    公开

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