首页> 中国专利> 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构

一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构

页面导航

摘要

本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs

1. 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构 [P] . 中国专利： CN104362225B . 2017.10.24
2. 宽波段、高偏振度的金属线栅型红外偏振片 [P] . 中国专利： CN1177237C . 2004.11.24
3. High Power Efficiency, Large Substrate, Polycrystalline CdTe Thin Film Semiconductor Photovoltaic Cell Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy at High Deposition Rate for Use in Solar Electricity Generation [P] . 美国专利： US2010015753A1 . 2010-01-21

机译：分子束外延以高沉积速率生长的高功率效率，大基板，多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构，用于太阳能发电
4. High Power Efficiency, Large Substrate, Polycrystalline CdTe Thin Film Semiconductor Photovoltaic Cell Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy at High Deposition Rate for Use in Solar Electricity Generation [P] . 美国专利： US2010012188A1 . 2010-01-21

机译：分子束外延以高沉积速率生长的高功率效率，大基板，多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构，用于太阳能发电
5. High power W-band/F-band Schottky diode based frequency multipliers [P] . 美国专利： US10075151B2 . 2018-09-11

机译：基于高功率W波段/ F波段肖特基二极管的倍频器