一种金属桥连缺陷的检测结构以及制备方法

摘要

本发明涉及一种金属桥连缺陷的检测结构以及制备方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区以及位于所述阱区内的掺杂区，其中，所述阱区和所述掺杂区具有不同的掺杂类型；通孔阵列，位于所述掺杂区上方；第一金属层和第二金属层，第一金属层位于所述通孔阵列上方，所述第二金属层位于所述第一金属层之间和/或四周；所述第一金属层、所述通孔阵列、所述掺杂区以及所述阱区形成竖直互联结构。所述方法实现了在线（in‑line）检测，不仅能够准确的确定金属桥连的发生，而且还能够精准的对所述金属桥连的位置进行定位；所述检测结构能够和在线工具实现良好的兼容，而不在局限于WAT检测，不仅检测结构更加更加准确，而且应用更加广泛。