化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移除速率的方法

摘要

本发明提供了适用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的化学机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含悬浮于含表面活性剂的酸性含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。本发明还公开以该化学机械抛光组合物抛光半导体基材的方法。