公开/公告号CN106409942B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201610924437.3
发明设计人 张武志;
申请日2016-10-24
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人智云
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:01:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-29
授权
授权
2017-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0392 申请日:20161024
实质审查的生效
2017-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0392 申请日:20161024
实质审查的生效
2017-02-15
公开
公开
2017-02-15
公开
公开
机译: 一种CI(G)S薄膜及其制造方法,以及一种使用CI(G)S薄膜及其制造方法的CI(G)S太阳能电池。
机译: 一种CI(G)S薄膜及其制造方法,以及一种使用CI(G)S薄膜及其制造方法的CI(G)S太阳能电池。
机译: 一种CI(G)S薄膜及其制造方法,以及一种使用CI(G)S薄膜及其制造方法的CI(G)S太阳电池。