一种形成暨测试一相移掩膜的方法

摘要

本发明提供一种形成暨测试一相移掩膜(phase shift mask，PSM)的方法。首先于一掩膜基底上的一主要图案区域中形成一第一图案、至少一第二图案以及至少一第三图案，以形成该相移掩膜，再利用该相移掩膜，将该第一、第二与第三图案转移至一半导体芯片上。最后利用转移至该半导体芯片上的该第二与第三图案，进行一相移掩膜测试(PSM test)。