公开/公告号CN104485328B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-15
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201410021649.1
申请日2014-01-17
分类号H01L27/02(20060101);H01L21/77(20170101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人王岳;马永利
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2022-08-23 10:00:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-15
授权
授权
2015-04-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140117
实质审查的生效
2015-04-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140117
实质审查的生效
2015-04-01
公开
公开
2015-04-01
公开
公开
机译: 具有用于使IGBT单元中的载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
机译: 具有用于使IGBT单元中的电荷载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
机译: 具有IGBT单元和去饱和沟道结构的半导体器件