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一种电子发射体功函数可调的阴极及其阵列

摘要

本发明提供一种电子发射体功函数可调的阴极,包括一电子发射体;位于所述电子发射体两端,并和所述电子发射体电连接的一电极对;调制所述电子发射体功函数的一栅电极;隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层。还提供一种电子发射体功函数可调的阴极阵列,其包含一定数量的以上任意一种电子发射体功函数可调的阴极,所述一定数量的阴极排布在同一衬底表面。本发明提出的电子发射体功函数可调的新型电子发射阴极及其阵列,可通过栅电极的调制来降低电子发射体的功函数,从而提高阴极的性能,可以广泛地应用于涉及电子发射阴极的各种电子设备。

著录项

  • 公开/公告号CN104992890B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201510250562.6

  • 发明设计人 魏贤龙;吴功涛;陈清;

    申请日2015-05-15

  • 分类号

  • 代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人余功勋

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-15

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20150515

    实质审查的生效

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20150515

    实质审查的生效

  • 2015-10-21

    公开

    公开

  • 2015-10-21

    公开

    公开

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