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单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法

摘要

将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构;将各元件的物理性质数值输入到计算机中;根据加热器的发热量和各元件的热发射率获得各元件的表面温度分布;根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布,从而获得考虑了对流的熔液内部温度分布;根据包括单晶三相点的等温线获得单晶与熔液之间的固液界面的形状;重复第三到第五步骤直到三相点成为单晶的熔点。单晶与熔液之间的固液界面形状的计算结果与实际测量结果彼此吻合得非常好。

著录项

  • 公开/公告号CN1249272C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱住友硅晶株式会社;

    申请/专利号CN01108316.6

  • 发明设计人 北村浩之介;小野直树;

    申请日2001-02-27

  • 分类号C30B15/00(20060101);G06F17/13(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-04-05

    授权

    授权

  • 2001-12-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-11-07

    公开

    公开

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