公开/公告号CN1249272C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 三菱住友硅晶株式会社;
申请/专利号CN01108316.6
申请日2001-02-27
分类号C30B15/00(20060101);G06F17/13(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-04-05
授权
授权
2001-12-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-11-07
公开
公开
机译: 模拟单晶和熔融液体之间的固液界面的形状以及单晶的点缺陷的分布的方法
机译: 模拟单晶与熔融液之间的固液界面的形状以及单晶的点缺陷的分布的方法
机译: 模拟单晶与熔融液之间的固液界面的形状以及单晶的点缺陷的分布的方法