首页> 中国专利> 铱-钽-氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法

铱-钽-氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法

摘要

一种在集成电路中形成电极的方法,包括制备基于硅的衬底,包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构;在衬底结构上淀积一层电极材料;构图电极材料层形成电极部件,其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层;以及在去离子水槽中清洗衬底结构和电极部件。

著录项

  • 公开/公告号CN1237579C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普公司;

    申请/专利号CN02121860.9

  • 发明设计人 H·嬴;F·张;J·-S·马;S·T·许;

    申请日2002-05-14

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人梁永

  • 地址 日本大阪市

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20060118 终止日期:20140514 申请日:20020514

    专利权的终止

  • 2006-01-18

    授权

    授权

  • 2003-03-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-12-25

    公开

    公开

  • 2002-10-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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