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基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法

摘要

本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法,通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极性的RESET脉冲和SET脉冲,使得相变存储单元中非晶化区的体积在脉冲调制作用下发生变化,形状近似为圆柱体;通过对两个电脉冲的幅值、宽度、间隔和极性进行调节,使得相变存储单元的电阻与脉冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的RESET脉冲和SET脉冲分时或同时施加在相变存储单元的两个电极上,以达到非晶态区域近似为圆柱形,使非晶态电阻与脉冲调制方式呈线性关系,实现对非晶态电阻进行精确控制;其产生的温度梯度延伸到非晶态区域的温度小于晶化温度,可达到对非晶态区域进行退火处理,有效减小电阻漂移和随机波动问题。

著录项

  • 公开/公告号CN104966779B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201510462748.8

  • 发明设计人 李震;孟祥如;

    申请日2015-07-31

  • 分类号

  • 代理机构华中科技大学专利中心;

  • 代理人廖盈春

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-01

    授权

    授权

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20150731

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20150731

    实质审查的生效

  • 2015-10-07

    公开

    公开

  • 2015-10-07

    公开

    公开

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