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一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法

摘要

一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法,包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板,所述的电池片周围设置一圈导电保护环,其中,所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时,各子串会输出直流高压,该直流高压的正极和导电保护环相连接,这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压,形成的电场由保护环指向玻璃外面,这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移,从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减,该方法简单易行,成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减,克服了现有方法的局限性和危险性。

著录项

  • 公开/公告号CN105826416B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201610290234.3

  • 发明设计人 杨宏;王鹤;

    申请日2016-05-04

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人安彦彦

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-01

    授权

    授权

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/048 申请日:20160504

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/048 申请日:20160504

    实质审查的生效

  • 2016-08-03

    公开

    公开

  • 2016-08-03

    公开

    公开

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