PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法

摘要

本发明公开了一种PIN光电二极管、X射线探测像元、装置及其探测方法，该PIN光电二极管包括：本征层、第一掺杂层和第二掺杂层；还包括：第三掺杂层；本征层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间，第三掺杂层位于第二掺杂层之上。具体地，本发明实施例提供的PIN光电二极管，通过在第二掺杂层之上覆盖一层第三掺杂层，这样可以防止第二掺杂层被周期性破坏，从而防止第二掺杂层表面出现缺陷，有利改善了PIN光电二极管由于掺杂层表面存在表面缺陷而导致的缺陷暗电流，同时将该PIN光电二极管应用于X射线探测器，可以提高图像质量。