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具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺

摘要

本发明涉及一种具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺,先在衬底上长外延层,然后镀分布布拉格反射层,再通过光罩作业,蚀刻掉部分的分布布拉格反射层,制作导电层和P、N电极,最后清洗分割,即得氮化镓基高亮度发光二极管。本发明设有的分布布拉格反射层,不但可以充分地把光反射出来,防止光被电极吸收,还可以使电流均匀地扩散,起到双重提升光输出效率的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN101807650B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门市三安光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201010131539.2

  • 发明设计人 沈孟骏;郑建森;林科闯;

    申请日2010-03-19

  • 分类号H01L33/44(20100101);H01L33/46(20100101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-25

    授权

    授权

  • 2010-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20100319

    实质审查的生效

  • 2010-12-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20100319

    实质审查的生效

  • 2010-08-18

    公开

    公开

  • 2010-08-18

    公开

    公开

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