公开/公告号CN1258119C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 现代电子产业株式会社;
申请/专利号CN00124850.2
申请日2000-09-19
分类号G03F7/00(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王维玉;丁业平
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:58:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-12-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/00 授权公告日:20060531 终止日期:20091019 申请日:20000919
专利权的终止
2006-05-31
授权
授权
2002-10-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2001-08-29
发明专利申请公开说明书更正 卷:17 号:13 页码:扉页 更正项目:摘要 误:漏打部分内容 正:IMAGE SRC=0.GIF 申请日:20000919
发明专利申请公开说明书更正
2001-08-29
发明专利公报更正更正 卷:17 号:13 页码:73 更正项目:摘要 误:漏打部分内容 正:IMAGE SRC=0.GIF 申请日:20000919
发明专利公报更正
2001-03-28
公开
公开
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机译: 用于形成半导体元件的光致抗蚀剂组合物,包括光致抗蚀剂树脂,光酸产生剂,光碱产生剂和有机溶剂。
机译: 包含光碱产生剂和光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物
机译: 包含光碱产生剂和光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物