公开/公告号CN104377278B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 湘能华磊光电股份有限公司;
申请/专利号CN201410520243.8
发明设计人 刘为刚;
申请日2014-09-30
分类号
代理机构北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人马佑平
地址 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
入库时间 2022-08-23 09:58:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-18
授权
授权
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20140930
实质审查的生效
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20140930
实质审查的生效
2015-02-25
公开
公开
2015-02-25
公开
公开
机译: 具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型GaN及其制备方法
机译: 具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型gan及其制备方法
机译: p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法