一种减少基片材料受高能离子轰击损伤的方法

摘要

一种减少基片材料受高能离子轰击损伤的方法，属于等离子体刻蚀领域。该方法包括预先设置一个脉冲调制信号，脉冲上升沿时间t,t小于D×T(D为脉冲的占空比，T为脉冲的周期)；然后将此信号作为调制信号对基片偏置射频功率源进行脉冲调制，获得一个具有上升沿为t的射频调制功率。与现有的技术相比，本发明具有减少脉冲调制基片偏置电压初期的高能离子轰击材料造成的损伤，保护基片材料在刻蚀过程中的安全性，使得刻蚀器件获得更加良好的性能。同时，根据刻蚀需要的不同偏压参数，可以选择合适的t值，使之能够适用于各种基片材料的刻蚀要求。同时也可以和不同的线圈射频功率源的放电模式进行组合，使之能够适应于不同的等离子体放电条件。