一种在交变电场下制备硅纳米结构材料的方法

摘要

本发明公开了一种在交变电场下制备硅纳米结构材料的方法，其按如下步骤：(1)、体硅的六面粘接三对独立的惰性电极，并在每一惰性电极上钻出工艺孔，惰性电极能产生交变电场；(2)、将步骤(1)的体硅放入由氢氟酸、双氧水、金属催化剂和去离子水配制而成的腐蚀液中；(3)、步骤(2)后，开启惰性电极，交变电场频率为28‑40kHz，三对惰性电极产生三个正交的交变电场控制腐蚀方向和腐蚀速度，腐蚀一段时间后取出清洗，制得硅纳米结构材料。本发明方法不仅解决了金属辅助腐蚀中速率低、制备的硅纳米结构精度低等问题，而且通过交变电场对金属催化剂颗粒的精确控制，从而能够控制腐蚀方向，实现三维硅纳米结构的精确制备。